NXPSC08650DJ
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| Numero parte | NXPSC08650DJ |
| PNEDA Part # | NXPSC08650DJ |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK |
| Produttore | WeEn Semiconductors |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.878 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 4 - nov 9 (Scegli Spedizione rapida) |
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NXPSC08650DJ Risorse
| Brand | WeEn Semiconductors |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NXPSC08650DJ |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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NXPSC08650DJ Specifiche
| Produttore | WeEn Semiconductors |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 8A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 230µA @ 650V |
| Capacità @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 175°C (Max) |
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