NXPSC04650DJ
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| Numero parte | NXPSC04650DJ |
| PNEDA Part # | NXPSC04650DJ |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK |
| Produttore | WeEn Semiconductors |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.912 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
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NXPSC04650DJ Risorse
| Brand | WeEn Semiconductors |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NXPSC04650DJ |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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NXPSC04650DJ Specifiche
| Produttore | WeEn Semiconductors |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 4A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 4A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 170µA @ 650V |
| Capacità @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 175°C (Max) |
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Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 16A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 570mV @ 16A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 30V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 640mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 40V Capacità @ Vr, F 50pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 690mV @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 40V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-128 Pacchetto dispositivo fornitore PMDTM Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
