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NX3008NBKS,115

NX3008NBKS,115

Solo per riferimento

Numero parte NX3008NBKS,115
PNEDA Part # NX3008NBKS-115
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 1.882.806
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NX3008NBKS Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNX3008NBKS,115
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NX3008NBKS, NX3008NBKS Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 1.618,93 KB)
PDFNX3008NBKSH Datasheet Copertura
NX3008NBKSH Datasheet Pagina 2 NX3008NBKSH Datasheet Pagina 3 NX3008NBKSH Datasheet Pagina 4 NX3008NBKSH Datasheet Pagina 5 NX3008NBKSH Datasheet Pagina 6 NX3008NBKSH Datasheet Pagina 7 NX3008NBKSH Datasheet Pagina 8 NX3008NBKSH Datasheet Pagina 9 NX3008NBKSH Datasheet Pagina 10 NX3008NBKSH Datasheet Pagina 11

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NX3008NBKS Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.68nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 15V
Potenza - Max445mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSSOP

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

300V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180Ohm @ 20mA, 7V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10.8pF @ 25V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A, 2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 15V

Potenza - Max

2W

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

32A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

393pF @ 15V

Potenza - Max

900mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V, 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

750mA, 410mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 750mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.44nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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Diodes Incorporated

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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