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NX138BKSF

NX138BKSF

Solo per riferimento

Numero parte NX138BKSF
PNEDA Part # NX138BKSF
Descrizione MOSFET 2 N-CH 60V 330MA SOT363
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.064
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NX138BKSF Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNX138BKSF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NX138BKSF, NX138BKSF Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 754,61 KB)
PDFNX138BKSF Datasheet Copertura
NX138BKSF Datasheet Pagina 2 NX138BKSF Datasheet Pagina 3 NX138BKSF Datasheet Pagina 4 NX138BKSF Datasheet Pagina 5 NX138BKSF Datasheet Pagina 6 NX138BKSF Datasheet Pagina 7 NX138BKSF Datasheet Pagina 8 NX138BKSF Datasheet Pagina 9 NX138BKSF Datasheet Pagina 10 NX138BKSF Datasheet Pagina 11

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NX138BKSF Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds20pF @ 30V
Potenza - Max860mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

465pF @ 15V

Potenza - Max

750mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Diodes Incorporated

Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35.2nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2360pF @ 6V

Potenza - Max

2.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

303A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-PowerWFQFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A, 30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 13V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

54.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.4mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28.6nC @ 10V

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