NVMFS5C404NWFAFT1G
Solo per riferimento
| Numero parte | NVMFS5C404NWFAFT1G |
| PNEDA Part # | NVMFS5C404NWFAFT1G |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 53A 378A 5DFN |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.752 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
NVMFS5C404NWFAFT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | NVMFS5C404NWFAFT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NVMFS5C404NWFAFT1G, NVMFS5C404NWFAFT1G Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 173,16 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- NVMFS5C404NWFAFT1G Datasheet
- where to find NVMFS5C404NWFAFT1G
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor NVMFS5C404NWFAFT1G
- NVMFS5C404NWFAFT1G PDF Datasheet
- NVMFS5C404NWFAFT1G Stock
- NVMFS5C404NWFAFT1G Pinout
- Datasheet NVMFS5C404NWFAFT1G
- NVMFS5C404NWFAFT1G Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- NVMFS5C404NWFAFT1G Price
- NVMFS5C404NWFAFT1G Distributor
NVMFS5C404NWFAFT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 53A (Ta), 378A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.7mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 128nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8400pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.9W (Ta), 200W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ON Semiconductor Serie QFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Vgs (massimo) ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 945pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 39W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220F Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-EMH Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 42.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4070pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Produttore Infineon Technologies Serie CoolMOS™ P6 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 430µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.5nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 104W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223 Pacchetto / Custodia TO-261-4, TO-261AA |
