NVATS68301PZT4G
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| Numero parte | NVATS68301PZT4G |
| PNEDA Part # | NVATS68301PZT4G |
| Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 100V 31A DPAK |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.726 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 2 - apr 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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NVATS68301PZT4G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NVATS68301PZT4G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NVATS68301PZT4G, NVATS68301PZT4G Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 460,28 KB)
  
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NVATS68301PZT4G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 31A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2850pF @ 20V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 84W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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