NTTFSC4821NTAG
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| Numero parte | NTTFSC4821NTAG |
| PNEDA Part # | NTTFSC4821NTAG |
| Descrizione | MOSFET 30V 57A NFETU8FL |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.120 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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NTTFSC4821NTAG Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NTTFSC4821NTAG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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NTTFSC4821NTAG Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerWDFN |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta), 150A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5640pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ MX Pacchetto / Custodia DirectFET™ Isometric MX |
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Produttore Infineon Technologies Serie CoolMOS™ CE Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 1.2A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 231pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 53W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO251-3 Pacchetto / Custodia TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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