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NTTFS4821NTAG

NTTFS4821NTAG

Solo per riferimento

Numero parte NTTFS4821NTAG
PNEDA Part # NTTFS4821NTAG
Descrizione MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 6.768
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Consegna stimata mar 30 - apr 4 (Scegli Spedizione rapida)
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NTTFS4821NTAG Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTTFS4821NTAG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NTTFS4821NTAG, NTTFS4821NTAG Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 123,3 KB)
PDFNTTFS4821NTWG Datasheet Copertura
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NTTFS4821NTAG Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.5A (Ta), 57A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24nC @ 11.5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1755pF @ 12V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)660mW (Ta), 38.5W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-WDFN (3.3x3.3)
Pacchetto / Custodia8-PowerWDFN

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CSD18502KCS

Texas Instruments

Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4680pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

259W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

NTAT6H406NT4G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

175A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8040pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

90W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

ATPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDI8441_F085

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

26A (Ta), 80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

15000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I2PAK (TO-262)

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IXFN48N60P

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Produttore

IXYS

Serie

PolarHV™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8860pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

625W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227B

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

SI5858DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

LITTLE FOOT®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 8V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Funzione FET

Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max)

2.3W (Ta), 8.3W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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