NTMFS4C13NT1G
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| Numero parte | NTMFS4C13NT1G |
| PNEDA Part # | NTMFS4C13NT1G |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 38A SO8FL |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 12.624 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 11 - apr 16 (Scegli Spedizione rapida) |
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NTMFS4C13NT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NTMFS4C13NT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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NTMFS4C13NT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.2A (Ta), 38A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.2nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 770pF @ 15V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 750mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
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Produttore IXYS Serie HiPerFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 850V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2460pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 695W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD (IXFH) Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
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