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NTMFS4955NT1G

NTMFS4955NT1G

Solo per riferimento

Numero parte NTMFS4955NT1G
PNEDA Part # NTMFS4955NT1G
Descrizione MOSFET N-CH 30V 48A SO8FL
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.076
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTMFS4955NT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTMFS4955NT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NTMFS4955NT1G, NTMFS4955NT1G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 129,64 KB)
PDFNTMFS4955NT1G Datasheet Copertura
NTMFS4955NT1G Datasheet Pagina 2 NTMFS4955NT1G Datasheet Pagina 3 NTMFS4955NT1G Datasheet Pagina 4 NTMFS4955NT1G Datasheet Pagina 5 NTMFS4955NT1G Datasheet Pagina 6 NTMFS4955NT1G Datasheet Pagina 7

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NTMFS4955NT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9.7A (Ta), 48A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.8nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1264pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)920mW (Ta), 23.2W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN, 5 Leads

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

E

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

309mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1205pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

147W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D-PAK (TO-252AA)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRF7704TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3150pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

TPS1100PWR

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

15V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.27A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.45nC @ 10V

Vgs (massimo)

+2V, -15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

504mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

SS05N70AKMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

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Vgs (th) (Max) @ Id

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1460pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

75W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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