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NTMD5836NLR2G

NTMD5836NLR2G

Solo per riferimento

Numero parte NTMD5836NLR2G
PNEDA Part # NTMD5836NLR2G
Descrizione MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.418
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 20 - dic 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTMD5836NLR2G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTMD5836NLR2G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NTMD5836NLR2G, NTMD5836NLR2G Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 136 KB)
PDFNTMD5836NLR2G Datasheet Copertura
NTMD5836NLR2G Datasheet Pagina 2 NTMD5836NLR2G Datasheet Pagina 3 NTMD5836NLR2G Datasheet Pagina 4 NTMD5836NLR2G Datasheet Pagina 5 NTMD5836NLR2G Datasheet Pagina 6 NTMD5836NLR2G Datasheet Pagina 7 NTMD5836NLR2G Datasheet Pagina 8 NTMD5836NLR2G Datasheet Pagina 9 NTMD5836NLR2G Datasheet Pagina 10

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NTMD5836NLR2G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9A, 5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2120pF @ 20V
Potenza - Max1.5W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.1nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1415pF @ 15V

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

V-DFN3030-8 (Type J)

FDMD85100

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.9mOhm @ 10.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2230pF @ 50V

Potenza - Max

2.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-Power 5x6

UPA2350T1P-E4-A

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

542pF @ 10V

Potenza - Max

1.3W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-XFLGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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ZXMC4559DN8TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A, 2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1063pF @ 30V

Potenza - Max

1.25W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 15V

Potenza - Max

2W

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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