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NTLUS4C16NTAG

NTLUS4C16NTAG

Solo per riferimento

Numero parte NTLUS4C16NTAG
PNEDA Part # NTLUS4C16NTAG
Descrizione MOSFET N-CH 30V 9.4A 6-UDFN
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.892
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTLUS4C16NTAG Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTLUS4C16NTAG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NTLUS4C16NTAG, NTLUS4C16NTAG Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 136,72 KB)
PDFNTLUS4C16NTAG Datasheet Copertura
NTLUS4C16NTAG Datasheet Pagina 2 NTLUS4C16NTAG Datasheet Pagina 3 NTLUS4C16NTAG Datasheet Pagina 4 NTLUS4C16NTAG Datasheet Pagina 5 NTLUS4C16NTAG Datasheet Pagina 6 NTLUS4C16NTAG Datasheet Pagina 7

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NTLUS4C16NTAG Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieµCool™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9.4A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.4mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds690pF @ 15V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.37W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-UDFN (1.6x1.6)
Pacchetto / Custodia6-PowerUFDFN

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FDD8878

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta), 40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

880pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

40W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252AA

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

GP2M009A090NG

Global Power Technologies Group

Produttore

Global Power Technologies Group

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2740pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

312W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PN

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

NTD5804NT4G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

69A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2850pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

71W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI4660DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

23.1A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2410pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 5.6W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

59A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1210pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

57W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

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