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NTJD4158CT2G

NTJD4158CT2G

Solo per riferimento

Numero parte NTJD4158CT2G
PNEDA Part # NTJD4158CT2G
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88-6
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.672
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTJD4158CT2G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTJD4158CT2G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NTJD4158CT2G, NTJD4158CT2G Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 142,1 KB)
PDFNTJD4158CT2G Datasheet Copertura
NTJD4158CT2G Datasheet Pagina 2 NTJD4158CT2G Datasheet Pagina 3 NTJD4158CT2G Datasheet Pagina 4 NTJD4158CT2G Datasheet Pagina 5 NTJD4158CT2G Datasheet Pagina 6 NTJD4158CT2G Datasheet Pagina 7 NTJD4158CT2G Datasheet Pagina 8

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NTJD4158CT2G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V, 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C250mA, 880mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds33pF @ 5V
Potenza - Max270mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-88/SC70-6/SOT-363

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Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

16-DIP (0.300", 7.62mm)

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Cree/Wolfspeed

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

168A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.1V @ 50mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9500pF @ 800V

Potenza - Max

568W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

DMC2041UFDB-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.7A, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

713pF @ 10V

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Produttore

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Funzione FET

Logic Level Gate, 5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

45A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1860pF @ 15V

Potenza - Max

2.8W

Temperatura di esercizio

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