NTD3817N-1G
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| Numero parte | NTD3817N-1G |
| PNEDA Part # | NTD3817N-1G |
| Descrizione | MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.920 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 16 - apr 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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NTD3817N-1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NTD3817N-1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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NTD3817N-1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 16V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.9mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 702pF @ 12V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I-PAK |
| Pacchetto / Custodia | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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