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NTD20P06LG

NTD20P06LG

Solo per riferimento

Numero parte NTD20P06LG
PNEDA Part # NTD20P06LG
Descrizione MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.334
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 17 - apr 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTD20P06LG Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTD20P06LG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NTD20P06LG, NTD20P06LG Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 139,62 KB)
PDFNTDV20P06LT4G Datasheet Copertura
NTDV20P06LT4G Datasheet Pagina 2 NTDV20P06LT4G Datasheet Pagina 3 NTDV20P06LT4G Datasheet Pagina 4 NTDV20P06LT4G Datasheet Pagina 5 NTDV20P06LT4G Datasheet Pagina 6 NTDV20P06LT4G Datasheet Pagina 7

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NTD20P06LG Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15.5A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs150mOhm @ 7.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1190pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)65W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6700pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.75W (Ta), 150W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (D2Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3080pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

380W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS-220SMD

Pacchetto / Custodia

PLUS-220SMD

BS170FTA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

150µA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

330mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

FQA7N80

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1850pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

198W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

105A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 75V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

179W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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