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NSVMMBT589LT1G

NSVMMBT589LT1G

Solo per riferimento

Numero parte NSVMMBT589LT1G
PNEDA Part # NSVMMBT589LT1G
Descrizione TRANS PNP 30V 1A SOT-23
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 4.266
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NSVMMBT589LT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSVMMBT589LT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
NSVMMBT589LT1G, NSVMMBT589LT1G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 105,75 KB)
PDFNSVMMBT589LT1G Datasheet Copertura
NSVMMBT589LT1G Datasheet Pagina 2 NSVMMBT589LT1G Datasheet Pagina 3 NSVMMBT589LT1G Datasheet Pagina 4 NSVMMBT589LT1G Datasheet Pagina 5

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NSVMMBT589LT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)30V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic650mV @ 200mA, 2A
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 500mA, 2V
Potenza - Max310mW
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

KSE13003TH1ATU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

3V @ 500mA, 1.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

9 @ 500mA, 2V

Potenza - Max

20W

Frequenza - Transizione

4MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

BSP16T1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2V @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Potenza - Max

1.5W

Frequenza - Transizione

15MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

KSB1116GBU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 50mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

Potenza - Max

750mW

Frequenza - Transizione

120MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

ZTX712STOB

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.25V @ 8mA, 800mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10000 @ 500mA, 5V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

E-Line-3, Formed Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

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