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NSVF3007SG3T1G

NSVF3007SG3T1G

Solo per riferimento

Numero parte NSVF3007SG3T1G
PNEDA Part # NSVF3007SG3T1G
Descrizione RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.798
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NSVF3007SG3T1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSVF3007SG3T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NSVF3007SG3T1G, NSVF3007SG3T1G Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 485,85 KB)
PDFNSVF3007SG3T1G Datasheet Copertura
NSVF3007SG3T1G Datasheet Pagina 2 NSVF3007SG3T1G Datasheet Pagina 3 NSVF3007SG3T1G Datasheet Pagina 4 NSVF3007SG3T1G Datasheet Pagina 5 NSVF3007SG3T1G Datasheet Pagina 6 NSVF3007SG3T1G Datasheet Pagina 7 NSVF3007SG3T1G Datasheet Pagina 8 NSVF3007SG3T1G Datasheet Pagina 9 NSVF3007SG3T1G Datasheet Pagina 10

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NSVF3007SG3T1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione8GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.8dB @ 1GHz
Guadagno12dB
Potenza - Max350mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30mA
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-23-3 Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore3-MCPH

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

9V

Frequenza - Transizione

8.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2.4dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

48 @ 10mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

26mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-6

2SC5646A-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4V

Frequenza - Transizione

10GHz ~ 12.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Guadagno

9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-81

Pacchetto dispositivo fornitore

3-SSFP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

8V

Frequenza - Transizione

1.9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7dB

Potenza - Max

400mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

250mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143B

BFP540FESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

30GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

Guadagno

20dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 3.5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

4-TSFP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

6GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

300mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB (SOT23)

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