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NSVDTA115EET1G

NSVDTA115EET1G

Solo per riferimento

Numero parte NSVDTA115EET1G
PNEDA Part # NSVDTA115EET1G
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75-3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.258
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida)
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NSVDTA115EET1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSVDTA115EET1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato
Datasheet
NSVDTA115EET1G, NSVDTA115EET1G Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 88,92 KB)
PDFNSVMMUN2136LT1G Datasheet Copertura
NSVMMUN2136LT1G Datasheet Pagina 2 NSVMMUN2136LT1G Datasheet Pagina 3 NSVMMUN2136LT1G Datasheet Pagina 4 NSVMMUN2136LT1G Datasheet Pagina 5 NSVMMUN2136LT1G Datasheet Pagina 6 NSVMMUN2136LT1G Datasheet Pagina 7 NSVMMUN2136LT1G Datasheet Pagina 8 NSVMMUN2136LT1G Datasheet Pagina 9 NSVMMUN2136LT1G Datasheet Pagina 10

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NSVDTA115EET1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di transistorPNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)100 kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)100 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max200mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-75, SOT-416
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-75, SOT-416

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Tipo di transistor

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

150MHz

Potenza - Max

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Tipo di montaggio

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Tipo di transistor

NPN - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

1 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

1 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

33 @ 50mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

200mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22 kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo di transistor

PNP - Pre-Biased

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

510 Ohms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

5.1 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

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Potenza - Max

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Pacchetto / Custodia

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2.2 kOhms

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2.2 kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

8 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

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