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NSVBC850BLT1G

NSVBC850BLT1G

Solo per riferimento

Numero parte NSVBC850BLT1G
PNEDA Part # NSVBC850BLT1G
Descrizione TRANS NPN BIPOLAR 45V SOT23-3
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 8.514
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NSVBC850BLT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSVBC850BLT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
NSVBC850BLT1G, NSVBC850BLT1G Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 228,2 KB)
PDFBC848CLT1 Datasheet Copertura
BC848CLT1 Datasheet Pagina 2 BC848CLT1 Datasheet Pagina 3 BC848CLT1 Datasheet Pagina 4 BC848CLT1 Datasheet Pagina 5 BC848CLT1 Datasheet Pagina 6 BC848CLT1 Datasheet Pagina 7 BC848CLT1 Datasheet Pagina 8 BC848CLT1 Datasheet Pagina 9 BC848CLT1 Datasheet Pagina 10 BC848CLT1 Datasheet Pagina 11

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NSVBC850BLT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)45V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (Max)15nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V
Potenza - Max225mW
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

600 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

310mW

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

250V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 25mA, 20V

Potenza - Max

830mW

Frequenza - Transizione

60MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

ZTX557

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 10V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

75MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

5V @ 10A, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5A, 2V

Potenza - Max

300W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Pacchetto dispositivo fornitore

TO-204AA (TO-3)

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NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

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20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 4mA, 20mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

56 @ 10mA, 10V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

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Temperatura di esercizio

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