NSVBAWH56WT1G
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| Numero parte | NSVBAWH56WT1G |
| PNEDA Part # | NSVBAWH56WT1G |
| Descrizione | 70V ANODE SWITCH DIODE |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.996 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 21 - apr 26 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
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NSVBAWH56WT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NSVBAWH56WT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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NSVBAWH56WT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | * |
| Tipo di diodo | - |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | - |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | - |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | - |
| Velocità | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | - |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 35A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 750mV @ 35A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1.5mA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AA, DO-4, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-4 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.25A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 100ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia SOD-57, Axial Pacchetto dispositivo fornitore SOD-57 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Tipo di diodo Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.6A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.9V @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F 42pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-277, 3-PowerDFN Pacchetto dispositivo fornitore TO-277A (SMPC) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore STMicroelectronics Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 12A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore DPAK Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
