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NSCT3904LT3G

NSCT3904LT3G

Solo per riferimento

Numero parte NSCT3904LT3G
PNEDA Part # NSCT3904LT3G
Descrizione TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 8.928
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
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NSCT3904LT3G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSCT3904LT3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
NSCT3904LT3G, NSCT3904LT3G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 81,51 KB)
PDFNSCT3904LT3G Datasheet Copertura
NSCT3904LT3G Datasheet Pagina 2 NSCT3904LT3G Datasheet Pagina 3 NSCT3904LT3G Datasheet Pagina 4 NSCT3904LT3G Datasheet Pagina 5 NSCT3904LT3G Datasheet Pagina 6

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NSCT3904LT3G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)200mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)40V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 1V
Potenza - Max225mW
Frequenza - Transizione300MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

250V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Potenza - Max

20W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-225AA, TO-126-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-126-3

JAN2N3420

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/393

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39

2N4401_J61Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

750mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 1V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BCX6810H6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

85 @ 500mA, 1V

Potenza - Max

3W

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT89

2SA1721RTE85LF

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 20mA, 10V

Potenza - Max

150mW

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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