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NSBA143TDXV6T1

NSBA143TDXV6T1

Solo per riferimento

Numero parte NSBA143TDXV6T1
PNEDA Part # NSBA143TDXV6T1
Descrizione TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.858
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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NSBA143TDXV6T1 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSBA143TDXV6T1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati
Datasheet
NSBA143TDXV6T1, NSBA143TDXV6T1 Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 132,54 KB)
PDFNSBA143ZDXV6T5G Datasheet Copertura
NSBA143ZDXV6T5G Datasheet Pagina 2 NSBA143ZDXV6T5G Datasheet Pagina 3 NSBA143ZDXV6T5G Datasheet Pagina 4 NSBA143ZDXV6T5G Datasheet Pagina 5 NSBA143ZDXV6T5G Datasheet Pagina 6 NSBA143ZDXV6T5G Datasheet Pagina 7 NSBA143ZDXV6T5G Datasheet Pagina 8 NSBA143ZDXV6T5G Datasheet Pagina 9 NSBA143ZDXV6T5G Datasheet Pagina 10 NSBA143ZDXV6T5G Datasheet Pagina 11

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NSBA143TDXV6T1 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistor2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)4.7kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce160 @ 5mA, 10V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max500mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-563

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

250MHz

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

Pacchetto dispositivo fornitore

SMT6

PUMH13,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

MUN5336DW1T1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

100kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

100kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

250mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88/SC70-6/SOT-363

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

1 PNP Pre-Biased, 1 NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

-

Resistenza - Base Emettitore (R2)

4.7kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 5mA, 10V / 150 @ 2mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA / 300mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA, 100µA

Frequenza - Transizione

100MHz, 80MHz

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

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Potenza - Max

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