NSB8BT-E3/81
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Numero parte | NSB8BT-E3/81 |
PNEDA Part # | NSB8BT-E3-81 |
Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB |
Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 7.542 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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NSB8BT-E3/81 Risorse
Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | NSB8BT-E3/81 |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
Datasheet |
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NSB8BT-E3/81 Specifiche
Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | - |
Tipo di diodo | Standard |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 8A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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