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NRVTS12100EMFST3G

NRVTS12100EMFST3G

Solo per riferimento

Numero parte NRVTS12100EMFST3G
PNEDA Part # NRVTS12100EMFST3G
Descrizione DIODE SCHOTTKY 100V 12A 5DFN
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.034
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NRVTS12100EMFST3G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNRVTS12100EMFST3G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
NRVTS12100EMFST3G, NRVTS12100EMFST3G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 63,89 KB)
PDFNRVTS12100EMFST3G Datasheet Copertura
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NRVTS12100EMFST3G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media Rettificata (Io)12A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If730mV @ 12A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr55µA @ 100V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN, 5 Leads
Pacchetto dispositivo fornitore5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

60A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.08V @ 60A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

28ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

RSFKLHMQG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 500mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

500ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

1N3913AR

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

HER201G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

35pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AC, DO-15, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AC (DO-15)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

CEFM103-G

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Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

875mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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