NRVTS1045EMFST3G
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| Numero parte | NRVTS1045EMFST3G |
| PNEDA Part # | NRVTS1045EMFST3G |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 45V 10A 5DFN |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.496 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 18 - apr 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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NRVTS1045EMFST3G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NRVTS1045EMFST3G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
NRVTS1045EMFST3G, NRVTS1045EMFST3G Datasheet
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NRVTS1045EMFST3G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 45V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 10A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 10A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 45V |
| Capacità @ Vr, F | 300pF @ 45V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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Produttore Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 9A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 2.1V @ 9A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 80µA @ 600V Capacità @ Vr, F 280pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-2-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Powerex Inc. Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 2.3V @ 1500A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 4µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 75mA @ 200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia DO-200AB, B-PUK Pacchetto dispositivo fornitore DO-200AB, B-PUK Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 450mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 400µA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-123F Pacchetto dispositivo fornitore SOD-123L Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 125°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 300V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 300V Capacità @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 4A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 50V Capacità @ Vr, F 100pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
