NP50P06KDG-E1-AY
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| Numero parte | NP50P06KDG-E1-AY |
| PNEDA Part # | NP50P06KDG-E1-AY |
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 50A TO-263 |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.750 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 25 - dic 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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NP50P06KDG-E1-AY Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NP50P06KDG-E1-AY |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NP50P06KDG-E1-AY, NP50P06KDG-E1-AY Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 288,06 KB)
  
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NP50P06KDG-E1-AY Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5000pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta), 90W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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