NGTB20N120LWG
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| Numero parte | NGTB20N120LWG |
| PNEDA Part # | NGTB20N120LWG |
| Descrizione | IGBT 1200V 40A 192W TO247-3 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.770 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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NGTB20N120LWG Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NGTB20N120LWG |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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NGTB20N120LWG Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench Field Stop |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 40A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 20A |
| Potenza - Max | 192W |
| Switching Energy | 3.1mJ (on), 700µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 200nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 86ns/235ns |
| Condizione di test | 600V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 57A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 114A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 33A Potenza - Max 200W Switching Energy 1.8mJ (on), 19.6mJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 167nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 32ns/845ns Condizione di test 960V, 33A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AC |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 55A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A Potenza - Max 210W Switching Energy 1.06mJ (on), 620µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 130nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 30ns/160ns Condizione di test 600V, 20A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) - Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 50A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 25A Potenza - Max 313W Switching Energy 340µJ (on), 900µJ (off) Tipo di ingresso Standard Gate Charge 160nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 48ns/210ns Condizione di test 600V, 25A, 15Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 770ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-3P-3, SC-65-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P |
Produttore IXYS Serie BIMOSFET™ Tipo IGBT NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 3000V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 38A Corrente - Collettore Pulsato (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 14A Potenza - Max 200W Switching Energy - Tipo di ingresso Standard Gate Charge 62nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C 40ns/166ns Condizione di test 960V, 14A, 20Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr) 1.4µs Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 |
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