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NGB8206NTF4

NGB8206NTF4

Solo per riferimento

Numero parte NGB8206NTF4
PNEDA Part # NGB8206NTF4
Descrizione IGBT 390V 20A 150W D2PAK3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.406
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NGB8206NTF4 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNGB8206NTF4
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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NGB8206NTF4 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)390V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)20A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)50A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 4.5V, 20A
Potenza - Max150W
Switching Energy-
Tipo di ingressoLogic
Gate Charge-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-/5µs
Condizione di test300V, 9A, 1kOhm, 5V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

440V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 4.5V, 10A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

2.4mJ (on), 5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

28nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

1.3µs/8µs

Condizione di test

328V, 10A, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

IXGR24N60C

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

42A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 24A

Potenza - Max

80W

Switching Energy

240µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

55nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

15ns/75ns

Condizione di test

480V, 24A, 18Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

ISOPLUS247™

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS247™

RJP60D0DPM-00#T1

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

45A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 22A

Potenza - Max

40W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

45nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

35ns/90ns

Condizione di test

300V, 22A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3PFM, SC-93-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PFM

Produttore

IXYS

Serie

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Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

130A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 36A

Potenza - Max

600W

Switching Energy

1.3mJ (on), 370µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

80nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/80ns

Condizione di test

400V, 36A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

120ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Infineon Technologies

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-

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

28A

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Gate Charge

18.2nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/140ns

Condizione di test

400V, 5A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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