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NESG2107M33-A

NESG2107M33-A

Solo per riferimento

Numero parte NESG2107M33-A
PNEDA Part # NESG2107M33-A
Descrizione RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.406
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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NESG2107M33-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNESG2107M33-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NESG2107M33-A, NESG2107M33-A Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 302,97 KB)
PDFNESG2107M33-T3-A Datasheet Copertura
NESG2107M33-T3-A Datasheet Pagina 2 NESG2107M33-T3-A Datasheet Pagina 3 NESG2107M33-T3-A Datasheet Pagina 4

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NESG2107M33-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)5V
Frequenza - Transizione10GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz
Guadagno7dB ~ 10dB
Potenza - Max130mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce140 @ 5mA, 1V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia3-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore3-SuperMiniMold (M33)

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

42GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

27.5dB

Potenza - Max

160mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 25mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

4-TSFP

BFR 360T E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

9V

Frequenza - Transizione

14GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

Guadagno

13.5dB

Potenza - Max

210mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SC-75

BF959ZL1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

700MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

625mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BFP420H6801XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Guadagno

21dB

Potenza - Max

160mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 4V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343

AT-41533-TR1

Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz

Guadagno

9dB ~ 14.5dB

Potenza - Max

225mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

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