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NE856M02-T1-AZ

NE856M02-T1-AZ

Solo per riferimento

Numero parte NE856M02-T1-AZ
PNEDA Part # NE856M02-T1-AZ
Descrizione RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
Produttore CEL
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Disponibile 3.330
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE856M02-T1-AZ Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE856M02-T1-AZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE856M02-T1-AZ, NE856M02-T1-AZ Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 1.513,8 KB)
PDF2SC5336-AZ Datasheet Copertura
2SC5336-AZ Datasheet Pagina 2 2SC5336-AZ Datasheet Pagina 3 2SC5336-AZ Datasheet Pagina 4 2SC5336-AZ Datasheet Pagina 5 2SC5336-AZ Datasheet Pagina 6 2SC5336-AZ Datasheet Pagina 7

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NE856M02-T1-AZ Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione6.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
Guadagno12dB
Potenza - Max1.2W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-89

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

6.7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Guadagno

11dB

Potenza - Max

800mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 30mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

6-CPH

MS2586

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

1015MP

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB ~ 11dB

Potenza - Max

50W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55FW

Pacchetto dispositivo fornitore

55FW

KSC2786RBU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

600MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Guadagno

18dB ~ 22dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92S

2SC48350RL

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

6GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2dB @ 800MHz

Guadagno

11dB ~ 14dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 20mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SMini3-G1

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