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NE85630-T1-A

NE85630-T1-A

Solo per riferimento

Numero parte NE85630-T1-A
PNEDA Part # NE85630-T1-A
Descrizione RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.574
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE85630-T1-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE85630-T1-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE85630-T1-A, NE85630-T1-A Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 1.962,59 KB)
PDF2SC4226-A Datasheet Copertura
2SC4226-A Datasheet Pagina 2 2SC4226-A Datasheet Pagina 3 2SC4226-A Datasheet Pagina 4 2SC4226-A Datasheet Pagina 5 2SC4226-A Datasheet Pagina 6 2SC4226-A Datasheet Pagina 7 2SC4226-A Datasheet Pagina 8

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NE85630-T1-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione4.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
Guadagno9dB
Potenza - Max150mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 7mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-323

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3.5V

Frequenza - Transizione

22.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Guadagno

16dB

Potenza - Max

50mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

4-MCPH

S200-50A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

2001

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Frequenza - Transizione

2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.5dB

Potenza - Max

5W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

250mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55BT

Pacchetto dispositivo fornitore

55BT

MS1226

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

36V

Frequenza - Transizione

30MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

18dB

Potenza - Max

80W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4.5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M113

Pacchetto dispositivo fornitore

M113

NSVF5490SKT3G

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1.5GHz

Guadagno

10dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 10mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-623F

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-623/SSFP

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