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NE68519-T1

NE68519-T1

Solo per riferimento

Numero parte NE68519-T1
PNEDA Part # NE68519-T1
Descrizione RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.842
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 4 - mag 9 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE68519-T1 Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE68519-T1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE68519-T1, NE68519-T1 Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 720,24 KB)
PDFNE68530-A Datasheet Copertura
NE68530-A Datasheet Pagina 2 NE68530-A Datasheet Pagina 3 NE68530-A Datasheet Pagina 4 NE68530-A Datasheet Pagina 5 NE68530-A Datasheet Pagina 6 NE68530-A Datasheet Pagina 7 NE68530-A Datasheet Pagina 8 NE68530-A Datasheet Pagina 9 NE68530-A Datasheet Pagina 10 NE68530-A Datasheet Pagina 11

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NE68519-T1 Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)6V
Frequenza - Transizione12GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Guadagno7.5dB
Potenza - Max125mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce75 @ 10mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-523
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-523

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT3S113(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5.3V

Frequenza - Transizione

12.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.45dB @ 1GHz

Guadagno

11.8dB

Potenza - Max

800mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

S-Mini

LM3046M

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Tipo di transistor

5 NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.25dB @ 1kHz

Guadagno

-

Potenza - Max

750mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-SOIC

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3V

Frequenza - Transizione

14GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2dB @ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

90mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 20mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-3

Pacchetto dispositivo fornitore

M13

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

125mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 7mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-623F

Pacchetto dispositivo fornitore

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