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NE68133-T1B-A

NE68133-T1B-A

Solo per riferimento

Numero parte NE68133-T1B-A
PNEDA Part # NE68133-T1B-A
Descrizione RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.022
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata feb 20 - feb 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE68133-T1B-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE68133-T1B-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE68133-T1B-A, NE68133-T1B-A Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 218,97 KB)
PDFNE68133-T1B-A Datasheet Copertura
NE68133-T1B-A Datasheet Pagina 2 NE68133-T1B-A Datasheet Pagina 3 NE68133-T1B-A Datasheet Pagina 4 NE68133-T1B-A Datasheet Pagina 5 NE68133-T1B-A Datasheet Pagina 6 NE68133-T1B-A Datasheet Pagina 7 NE68133-T1B-A Datasheet Pagina 8 NE68133-T1B-A Datasheet Pagina 9 NE68133-T1B-A Datasheet Pagina 10 NE68133-T1B-A Datasheet Pagina 11

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NE68133-T1B-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)10V
Frequenza - Transizione9GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
Guadagno13dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)65mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

20dB

Potenza - Max

175mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT363-6

SD1015

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

18V

Frequenza - Transizione

150MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB

Potenza - Max

10W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 200mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Temperatura di esercizio

200°C

Tipo di montaggio

Stud Mount

Pacchetto / Custodia

M135

Pacchetto dispositivo fornitore

M135

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Guadagno

9dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

1090MP

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.08dB ~ 8.5dB

Potenza - Max

250W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6.5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55FW-1

Pacchetto dispositivo fornitore

55FW-1

MMBTH10-4LT1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

800MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

225mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 4mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

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