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NE662M04-T2-A

NE662M04-T2-A

Solo per riferimento

Numero parte NE662M04-T2-A
PNEDA Part # NE662M04-T2-A
Descrizione RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.114
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 11 - apr 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE662M04-T2-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE662M04-T2-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE662M04-T2-A, NE662M04-T2-A Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 1.263,12 KB)
PDF2SC5508-A Datasheet Copertura
2SC5508-A Datasheet Pagina 2 2SC5508-A Datasheet Pagina 3 2SC5508-A Datasheet Pagina 4 2SC5508-A Datasheet Pagina 5 2SC5508-A Datasheet Pagina 6 2SC5508-A Datasheet Pagina 7 2SC5508-A Datasheet Pagina 8 2SC5508-A Datasheet Pagina 9 2SC5508-A Datasheet Pagina 10

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NE662M04-T2-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)3.3V
Frequenza - Transizione25GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.1dB @ 2GHz
Guadagno18dB
Potenza - Max115mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce50 @ 5mA, 2V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)35mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-343F
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-343F

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

67 @ 1mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

MRF455

M/A-Com Technology Solutions

Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

18V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

13dB

Potenza - Max

60W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

211-07

Pacchetto dispositivo fornitore

211-07, STYLE 1

BFP193E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

12dB ~ 18dB

Potenza - Max

580mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT143-4

75101H

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BFP 405 H6433

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

Guadagno

23dB

Potenza - Max

75mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 4V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343

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