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NDS9959

NDS9959

Solo per riferimento

Numero parte NDS9959
PNEDA Part # NDS9959
Descrizione MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.428
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NDS9959 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNDS9959
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NDS9959, NDS9959 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 208,05 KB)
PDFNDS9959 Datasheet Copertura
NDS9959 Datasheet Pagina 2 NDS9959 Datasheet Pagina 3 NDS9959 Datasheet Pagina 4 NDS9959 Datasheet Pagina 5 NDS9959 Datasheet Pagina 6 NDS9959 Datasheet Pagina 7

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NDS9959 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds250pF @ 25V
Potenza - Max900mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 3V

Potenza - Max

125mW

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SSMINI6-F1

IRF7555TRPBF

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1066pF @ 10V

Potenza - Max

1.25W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

Micro8™

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 15V

Potenza - Max

640mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

ChipFET™

DMT6018LDR-13

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

869pF @ 30V

Potenza - Max

1.9W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

580pF @ 20V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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