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NDF02N60ZH

NDF02N60ZH

Solo per riferimento

Numero parte NDF02N60ZH
PNEDA Part # NDF02N60ZH
Descrizione MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.390
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Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NDF02N60ZH Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNDF02N60ZH
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NDF02N60ZH, NDF02N60ZH Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 142,41 KB)
PDFNDF02N60ZH Datasheet Copertura
NDF02N60ZH Datasheet Pagina 2 NDF02N60ZH Datasheet Pagina 3 NDF02N60ZH Datasheet Pagina 4 NDF02N60ZH Datasheet Pagina 5 NDF02N60ZH Datasheet Pagina 6 NDF02N60ZH Datasheet Pagina 7 NDF02N60ZH Datasheet Pagina 8 NDF02N60ZH Datasheet Pagina 9 NDF02N60ZH Datasheet Pagina 10

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NDF02N60ZH Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.4A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds325pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)24W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220FP
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

45A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.4mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 34µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3785pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

71W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3-1

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

AOT25S65L

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

aMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26.4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1278pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

357W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

AOTF4126

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

SDMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta), 27A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta), 42W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

NTA4153NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

915mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.82nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±6V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 16V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300mW (Tj)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-75, SOT-416

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.8nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3980pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 165W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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