NCV5701CDR2G
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| Numero parte | NCV5701CDR2G |
| PNEDA Part # | NCV5701CDR2G |
| Descrizione | HIGH CURRENT IGBT GATE DR |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.122 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida) |
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NCV5701CDR2G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NCV5701CDR2G |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
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NCV5701CDR2G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | High-Side or Low-Side |
| Tipo di canale | Single |
| Numero di driver | 1 |
| Tipo di porta | IGBT |
| Tensione - Alimentazione | 20V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 0.75V, 4.3V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 20mA, 15mA |
| Tipo di ingresso | Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 9.2ns, 7.9ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 15V Tensione logica - VIL, VIH 1V, 2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 4A, 4A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 29V Tempo di salita / discesa (tipico) 65ns, 65ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 14-HTSSOP |
Produttore Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Single Numero di driver 1 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 3.5V ~ 14V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.3V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 3A, 7A Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 14ns, 12ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 6-WSON (3x3) |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 9V ~ 14V Tensione logica - VIL, VIH 3.7V, 7.4V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 2A, 2A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 114V Tempo di salita / discesa (tipico) 10ns, 10ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 9-VFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 9-DFN-EP (3x3) |
Produttore IXYS Integrated Circuits Division Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Single Numero di driver 1 Tipo di porta IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 35V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 3V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 9A, 9A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 22ns, 15ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-5 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-5 |
Produttore Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 9V ~ 14V Tensione logica - VIL, VIH 2.3V, - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 3A, 3A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 118V Tempo di salita / discesa (tipico) 430ns, 260ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-WSON (4x4) |
