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NCP81080DR2G

NCP81080DR2G

Solo per riferimento

Numero parte NCP81080DR2G
PNEDA Part # NCP81080DR2G
Descrizione LOW-COST HIGH VOLTAGE DUA
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.338
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 21 - dic 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NCP81080DR2G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNCP81080DR2G
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
NCP81080DR2G, NCP81080DR2G Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 188,31 KB)
PDFNCP81080MNTBG Datasheet Copertura
NCP81080MNTBG Datasheet Pagina 2 NCP81080MNTBG Datasheet Pagina 3 NCP81080MNTBG Datasheet Pagina 4 NCP81080MNTBG Datasheet Pagina 5 NCP81080MNTBG Datasheet Pagina 6 NCP81080MNTBG Datasheet Pagina 7 NCP81080MNTBG Datasheet Pagina 8 NCP81080MNTBG Datasheet Pagina 9 NCP81080MNTBG Datasheet Pagina 10 NCP81080MNTBG Datasheet Pagina 11

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NCP81080DR2G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione5.5V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH1.2V, 1.8V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)500mA, 800mA
Tipo di ingressoTTL
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)19ns, 17ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 140°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT

Tensione - Alimentazione

11.5V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

24ns, 7ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-SSOP (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

24-SSOP

ISL6605CBZR5168

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Tensione logica - VIL, VIH

1V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

33V

Tempo di salita / discesa (tipico)

8ns, 8ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IRS2118SPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

6V, 9.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

290mA, 600mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

75ns, 35ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

ISL83202IBZ

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

4

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

8.5V ~ 15V

Tensione logica - VIL, VIH

1V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1A, 1A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

70V

Tempo di salita / discesa (tipico)

9ns, 9ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

Produttore

IXYS

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 30V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

7.5ns, 6.5ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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