NCP81075DR2G
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| Numero parte | NCP81075DR2G |
| PNEDA Part # | NCP81075DR2G |
| Descrizione | HIGH PERFORMANCE DUAL MOS |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.668 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 30 - apr 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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NCP81075DR2G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NCP81075DR2G |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
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NCP81075DR2G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | High-Side or Low-Side |
| Tipo di canale | Independent |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 8.5V ~ 20V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 0.8V, 2.7V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 4A, 4A |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 200V |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 8ns, 7ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 140°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 3.5V ~ 14V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 3A, 5A Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 14ns, 12ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 10-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 10-WSON (4x4) |
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