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NCP5183DR2G

NCP5183DR2G

Solo per riferimento

Numero parte NCP5183DR2G
PNEDA Part # NCP5183DR2G
Descrizione IC DRIVER HI/LO 600V 8SOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.982
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NCP5183DR2G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNCP5183DR2G
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
NCP5183DR2G, NCP5183DR2G Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 552,32 KB)
PDFNCV5183DR2G Datasheet Copertura
NCV5183DR2G Datasheet Pagina 2 NCV5183DR2G Datasheet Pagina 3 NCV5183DR2G Datasheet Pagina 4 NCV5183DR2G Datasheet Pagina 5 NCV5183DR2G Datasheet Pagina 6 NCV5183DR2G Datasheet Pagina 7 NCV5183DR2G Datasheet Pagina 8 NCV5183DR2G Datasheet Pagina 9 NCV5183DR2G Datasheet Pagina 10 NCV5183DR2G Datasheet Pagina 11

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NCP5183DR2G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione9V ~ 18V
Tensione logica - VIL, VIH1.2V, 2.5V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)4.3A, 4.3A
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Tempo di salita / discesa (tipico)12ns, 12ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

1V, 2.3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

5A, 5A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

7ns, 6ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 140°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SON (3x3)

IX6R11P7

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 35V

Tensione logica - VIL, VIH

6V, 9.6V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

6A, 6A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 17ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-DIP

L6571AD013TR

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 16.6V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

170mA, 270mA

Tipo di ingresso

RC Input Circuit

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

EL7212CSZ-T13

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 15V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

7.5ns, 10ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

FAN7390MX

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 22V

Tensione logica - VIL, VIH

1.2V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4.5A, 4.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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