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NCP5111DR2G

NCP5111DR2G

Solo per riferimento

Numero parte NCP5111DR2G
PNEDA Part # NCP5111DR2G
Descrizione IC DRIVER HI/LOW SIDE HV 8-SOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.580
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NCP5111DR2G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNCP5111DR2G
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
NCP5111DR2G, NCP5111DR2G Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 100,38 KB)
PDFNCP5111PG Datasheet Copertura
NCP5111PG Datasheet Pagina 2 NCP5111PG Datasheet Pagina 3 NCP5111PG Datasheet Pagina 4 NCP5111PG Datasheet Pagina 5 NCP5111PG Datasheet Pagina 6 NCP5111PG Datasheet Pagina 7 NCP5111PG Datasheet Pagina 8 NCP5111PG Datasheet Pagina 9 NCP5111PG Datasheet Pagina 10 NCP5111PG Datasheet Pagina 11

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NCP5111DR2G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver2
Tipo di portaIGBT, N-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione10V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 2.3V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)250mA, 500mA
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Tempo di salita / discesa (tipico)85ns, 35ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

3-Phase

Numero di driver

6

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

12V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

200mA, 350mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

44-PLCC

IR2112STR

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

6V, 9.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

80ns, 40ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

L6398D

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

1.1V, 1.9V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

290mA, 430mA

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

75ns, 35ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

IR2128STRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side or Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

12V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

250mA, 500mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

80ns, 40ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

1SD418F2-FZ1200R33KL2C

Power Integrations

Produttore

Power Integrations

Serie

SCALE™-1

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

14.5V ~ 15.5V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

18A, 18A

Tipo di ingresso

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

100ns, 100ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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