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NAND512W3A2BZA6E

NAND512W3A2BZA6E

Solo per riferimento

Numero parte NAND512W3A2BZA6E
PNEDA Part # NAND512W3A2BZA6E
Descrizione IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 761
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 6 - apr 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NAND512W3A2BZA6E Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNAND512W3A2BZA6E
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
NAND512W3A2BZA6E, NAND512W3A2BZA6E Datasheet (Totale pagine: 56, Dimensioni: 882,74 KB)
PDFNAND512W3A2BN6F Datasheet Copertura
NAND512W3A2BN6F Datasheet Pagina 2 NAND512W3A2BN6F Datasheet Pagina 3 NAND512W3A2BN6F Datasheet Pagina 4 NAND512W3A2BN6F Datasheet Pagina 5 NAND512W3A2BN6F Datasheet Pagina 6 NAND512W3A2BN6F Datasheet Pagina 7 NAND512W3A2BN6F Datasheet Pagina 8 NAND512W3A2BN6F Datasheet Pagina 9 NAND512W3A2BN6F Datasheet Pagina 10 NAND512W3A2BN6F Datasheet Pagina 11

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NAND512W3A2BZA6E Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NAND
Dimensione della memoria512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina50ns
Tempo di accesso50ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia63-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore63-VFBGA (8.5x15)

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-VFBGA (8x8)

AT24C04BU3-UU-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Kb (512 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

8-dBGA (2x1.5)

M87C257-90C1

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (11.35x13.89)

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

66MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-BGA (8x6)

71V67703S75PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

117MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

7.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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