NAND512W3A0AV6E
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| Numero parte | NAND512W3A0AV6E |
| PNEDA Part # | NAND512W3A0AV6E |
| Descrizione | IC FLASH 512M PARALLEL 48WSOP |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.892 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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NAND512W3A0AV6E Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NAND512W3A0AV6E |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
NAND512W3A0AV6E, NAND512W3A0AV6E Datasheet
(Totale pagine: 56, Dimensioni: 882,74 KB)
  
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NAND512W3A0AV6E Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 50ns |
| Tempo di accesso | 50ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 48-UFSOP (0.606",15.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-WSOP (12x17) |
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Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 18Mb (512K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.4ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 100-TQFP (14x20) |
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Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 16Mb (2M x 8) Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O, QPI, DTR Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 800µs Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.65V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-WSON (8x6) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, DDR II+ Dimensione della memoria 72Mb (4M x 18) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 550MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 165-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 165-FBGA (13x15) |
