N25Q256A13E1240E
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| Numero parte | N25Q256A13E1240E |
| PNEDA Part # | N25Q256A13E1240E |
| Descrizione | IC FLASH 256M SPI 24TPBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 57.792 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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N25Q256A13E1240E Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | N25Q256A13E1240E |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
N25Q256A13E1240E, N25Q256A13E1240E Datasheet
(Totale pagine: 92, Dimensioni: 1.295,07 KB)
  
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N25Q256A13E1240E Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 256Mb (64M x 4) |
| Interfaccia di memoria | SPI |
| Frequenza di clock | 108MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 8ms, 5ms |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 24-TBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 24-T-PBGA (6x8) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 5.0ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 90-VFBGA (9x13) |
