N0413N-ZK-E1-AY
Solo per riferimento
| Numero parte | N0413N-ZK-E1-AY |
| PNEDA Part # | N0413N-ZK-E1-AY |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 |
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.096 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 17 - apr 22 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
N0413N-ZK-E1-AY Risorse
| Brand | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | N0413N-ZK-E1-AY |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
N0413N-ZK-E1-AY, N0413N-ZK-E1-AY Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 210,94 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- N0413N-ZK-E1-AY Datasheet
- where to find N0413N-ZK-E1-AY
- Renesas Electronics America
- Renesas Electronics America N0413N-ZK-E1-AY
- N0413N-ZK-E1-AY PDF Datasheet
- N0413N-ZK-E1-AY Stock
- N0413N-ZK-E1-AY Pinout
- Datasheet N0413N-ZK-E1-AY
- N0413N-ZK-E1-AY Supplier
- Renesas Electronics America Distributor
- N0413N-ZK-E1-AY Price
- N0413N-ZK-E1-AY Distributor
N0413N-ZK-E1-AY Specifiche
| Produttore | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5550pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta), 119W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D²Pak) |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.8A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 675pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 420mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Produttore STMicroelectronics Serie STripFET™ II Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 5V Vgs (massimo) ±15V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4050pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore IXYS Serie TrenchMV™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 160A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 112nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4950pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 360W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (IXTA) Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore Vishay Siliconix Serie E Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 650V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 46A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 73mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 278nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5892pF @ 100V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 417W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AC Pacchetto / Custodia TO-247-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta), 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.7nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.5W (Ta), 37W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN, 5 Leads |
