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MX29GL640EBXEI-70Q

MX29GL640EBXEI-70Q

Solo per riferimento

Numero parte MX29GL640EBXEI-70Q
PNEDA Part # MX29GL640EBXEI-70Q
Descrizione IC FLASH 64M PARALLEL 48LFBGA
Produttore Macronix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.168
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MX29GL640EBXEI-70Q Risorse

Brand Macronix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMX29GL640EBXEI-70Q
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MX29GL640EBXEI-70Q, MX29GL640EBXEI-70Q Datasheet (Totale pagine: 82, Dimensioni: 1.194,98 KB)
PDFMX29GL640ETXEI-90G Datasheet Copertura
MX29GL640ETXEI-90G Datasheet Pagina 2 MX29GL640ETXEI-90G Datasheet Pagina 3 MX29GL640ETXEI-90G Datasheet Pagina 4 MX29GL640ETXEI-90G Datasheet Pagina 5 MX29GL640ETXEI-90G Datasheet Pagina 6 MX29GL640ETXEI-90G Datasheet Pagina 7 MX29GL640ETXEI-90G Datasheet Pagina 8 MX29GL640ETXEI-90G Datasheet Pagina 9 MX29GL640ETXEI-90G Datasheet Pagina 10 MX29GL640ETXEI-90G Datasheet Pagina 11

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MX29GL640EBXEI-70Q Specifiche

ProduttoreMacronix
SerieMX29GL
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria64Mb (8M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-LFBGA, CSPBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-LFBGA, CSP (6x8)

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

24-CDIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

24-CDIP

IDT71V124SA10TY8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

3MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

20-TSSOP

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (512K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

150MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

12Mb (512K x 24)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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