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MWI50-12E7

MWI50-12E7

Solo per riferimento

Numero parte MWI50-12E7
PNEDA Part # MWI50-12E7
Descrizione MOD IGBT SIXPACK H-BRDG 1200V E2
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.186
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 1 - apr 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MWI50-12E7 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMWI50-12E7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
MWI50-12E7, MWI50-12E7 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 271,84 KB)
PDFMWI50-12E7 Datasheet Copertura
MWI50-12E7 Datasheet Pagina 2 MWI50-12E7 Datasheet Pagina 3 MWI50-12E7 Datasheet Pagina 4

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MWI50-12E7 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneThree Phase Inverter
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)90A
Potenza - Max350W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 50A
Corrente - Taglio collettore (Max)800µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce3.8nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaE2
Pacchetto dispositivo fornitoreE2

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Produttore

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Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

APTGT400A60D3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500A

Potenza - Max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 400A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

24nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-3 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

D3

FZ500R65KE3NOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6500V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1000A

Potenza - Max

2000000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 500A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

135nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

Produttore

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

152A

Potenza - Max

830W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

25µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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