MVB50P03HDLT4G
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| Numero parte | MVB50P03HDLT4G |
| PNEDA Part # | MVB50P03HDLT4G |
| Descrizione | INTEGRATED CIRCUIT |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.794 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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MVB50P03HDLT4G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MVB50P03HDLT4G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
MVB50P03HDLT4G, MVB50P03HDLT4G Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 138,11 KB)
  
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MVB50P03HDLT4G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 25A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4.9nF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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