MURT10020
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| Numero parte | MURT10020 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | MURT10020 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER | ||||||||||||||||||
| Produttore | GeneSiC Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 101 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
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MURT10020 Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MURT10020 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
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MURT10020 Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 100A (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 50A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Three Tower |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
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