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MURH860CTH

MURH860CTH

Solo per riferimento

Numero parte MURH860CTH
PNEDA Part # MURH860CTH
Descrizione DIODE GEN PURPOSE
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 3.852
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MURH860CTH Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMURH860CTH
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array

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MURH860CTH Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)600V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)4A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If2.8V @ 4A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 600V
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3

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Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 40mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

5ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200nA @ 30V

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323

SBL3045PT

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

MBR120150CTR

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

60A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

880mV @ 60A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 150V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Twin Tower

Pacchetto dispositivo fornitore

Twin Tower

DD435N28KHPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Series Connection

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

2800V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

573A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.71V @ 1200A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50mA @ 2800V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

SDT10A100CTFP

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

660mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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